快科技4月9日音讯，据报道，SK海力士在DRAM芯片技能范畴获得重大打破，其1cnm工艺DRAM芯片良品率已从上一年下半年的60%快速进步至80%-90%的职业领先水平。

这一技能打破正值AI浪潮推进高功能存储需求激增的关键时期，有望协助SK海力士在消费级和数据中心商场树立技能优势，应战三星在DRAM范畴的领导地位。

选用1cnm工艺制作的DDR5 DRAM芯片展现出明显功能进步：运转速率到达8Gbps，较前代产品进步11%；能效进步9%以上；经过规划技能革新，出产功率进步超越30%。

SK海力士经过使用新型材料和优化EUV工艺，在进步功能的一起坚持了本钱竞争力。据预算，数据中心选用该芯片后有望节约30%以上的电力本钱。

虽然详细上市时刻没有确认，但这一技能打破已为下一代高功能存储解决方案奠定了根底。跟着良品率的继续进步和产能的逐渐扩展，1cnm DRAM芯片有望重塑存储商场格式，为AI年代的数据处理需求供给更强壮的支撑。

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(责任编辑：生活)