快科技5月15日音讯，据媒体报导，苹果正在为20周年iPhone研制多项立异技能，其间HBM内存被视为要害发展方向之一。

据悉，HMB全称是High Bandwidth Memory，中文名为“高带宽内存”，这是一种全新的根据3D仓库技能的高性能DRAM。

它能进步数据吞吐量，一起下降功耗并缩小内存芯片体积，现在首要应用于AI服务器，苹果期望经过将移动HBM与iPhone的GPU单元衔接来增强设备端AI才能，这项技能关于端侧AI大模型至关重要，可防止电量过快耗尽，还能下降推迟。

具体来说，HBM选用TSV工艺进行3D堆叠，有用提高带宽，完成更高的集成度，经过与处理器相同的“Interposer”中心介质层与核算芯片完成紧凑衔接，一方面既节省了芯片面积，另一方面又明显减少了数据传输时刻。

报导称苹果已与三星电子和SK海力士等首要内存供货商评论该计划，三星正在开发名为VCS的封装计划，而SK海力士则选用VFO技能，两家公司都计划在2026年后量产。

不过移动HBM面对许多应战，一是制作本钱远高于现有的LPDDR内存，二是iPhone是一款轻浮设备，散热是一项重要应战；三是3D堆叠和TSV工艺选用高度杂乱的封装工艺，良率也是一大应战。

若苹果在2027年iPhone产品线中选用这项技能，这将成为20周年纪念机型的又一立异之举，风闻这款里程碑产品还将装备彻底无边框的显示屏，展示苹果在智能手机范畴继续打破的决计。

内容来源：https://fastrans.nhobethoi.com/app-1/messenger viva88,http://chatbotjud-teste.saude.mg.gov.br/app-1/bb-365-bet

(责任编辑：新闻)