MOSFET电路栅源极GS之间为什么需求并联一个电容？竟然能处理MOS误导通的问题？

Part 01。

前语。

在。MOSFET。中，dv/dt指的是MOSFET在开关瞬态期间，其漏源电压Vds的改变率，即漏极和源极之间电压随时刻的改变速度。一般想到dv/dt，咱们榜首反应是高dv/dt会导致激烈的电磁搅扰，影响周围的灵敏电路，下降体系的。信号。完整性。除此之外高dv/dt还会发生别的一大损害，那就是假如dv/dt过高，漏源电压的快速改变会经过栅-漏电容Cgd。耦合。到栅极电压Vgs，导致栅极电压瞬时上升，然后使MOSFET在封闭的情况下误导通。接下来咱们就介绍一下原因以及应对办法。

Part 02。

MOS误导通的原因。

咱们以。DC。DC电路为例，比方同步。开关电源。，其拓扑电路，一般是运用一组MOSFET作为上管和下管来分时开关完成稳压输出。当MOSFET高速开关时，MOSFET由导通切换到关断状态下，MOSFET的漏极和源极。端子。之间会发生快速上升的电压Vds。开关频率越高，对应的漏极和源极电压随时刻的改变：dv/dt会越大，依据MOSFET的栅-漏极。电容。Cgd和栅-源极电容Cgs之间的比值会在MOS的G-S直接构成一个分压，或经过Cds流向栅极。电阻。R的。电流。会在栅极电阻两头构成一个分压，当此分压大于栅极敞开电压时就会导致MOSFET自导通。

为了便于了解，咱们别离剖析以下两种MOS误导通模型：

模型1：不考虑外部栅极电阻。

此模型相当于MOS的栅极悬空。

此刻相当于Cgd和Cgs两个寄生电容串联接在Vds之间：

那么感应电压Vgs=Vds*Cgd/(Cgd+Cgs)。

只有当Vds*Cgd/(Cgd+Cgs)。

Vgth：MOS的敞开电压。

模型2：考虑外部栅极电阻。

此模型相当于MOS的栅极接。驱动器。，驱动器输出低（咱们假定驱动器输出低时的导通电阻为0）。

此刻相当于Cgd和Rg,i串联后接在Vds之间：

那么流经Cgd的电流为Igd=Cgd*dv/dt。

栅极电压感应电压Vgs=Igd*Rg,i=Rg,i*Cgd*dv/dt。

只有当Rg,i*Cgd*dv/dt。

Vgth：MOS的敞开电压。

Part 03。

怎么处理MOS误导通的问题？

根据模型1：感应电压Vgs=Vds*Cgd/(Cgd+Cgs)。

咱们能够经过在MOS栅源极并联电容来增大Cgs，这样相当于变相减小了Vgs，然后处理MOS误导通的问题。

2.根据模型2：感应电压Vgs=Rg,i*Cgd*dv/dt。

能够经过约束dv/dt来处理此问题，怎么约束dv/dt呢？能够在MOS栅极串联电阻Rg来下降MOSFET的开关速率，从而下降dv/dt。

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