MOSFET电路栅源极GS之间并联电容后，MOS管为什么会炸管？原因剖析
Part 01。
前语。
上一篇文章实在介绍了在进行。MOSFET。相关的。电路设计。时，可能会遇到MOSFET误导通的问题，为了处理此问题，实在提出了两种办法，一种是增大MOSFET栅极串联。电阻。的阻值，别的一种是在MOSFET栅-源极之间并联一个。电容。，有读者在谈论区说假如在栅-源极并联一个电容，MOSFET可能会呈现炸管的问题？那么在MOSFET栅-源极并联电容和MOSFET炸管是否真的有联络？内涵的机制又是什么？怎么处理？今日实在就详细剖析一下。
Part 02。
原因剖析。
在。硬件。电路设计中，电子元器件。常常会呈现EOS损坏，什么是EOS损坏呢？EOS对应的英文名称是Electrical Overstress，也便是。电气。过应力，指的是元器件因遭到超越其额外极限的电应力，比方电压，电流。，温度而损坏，这也是硬件。工程师。在售后件剖析中的根本剖析方向。
回到实在今日的主角MOSFET，MOSFET炸管也有三大原因，电压，电流，温度，比方MOSFET漏源极两头的电压超越了最大极限值，或许MOSFET的漏源极电流超越了最大极限值，或许MOSFET的温度超出了最大结温，这些。参数。限值实在都值勤在。标准。书中查阅：
对MOSFET而言，假如在MOSFET栅-源极之间并联一个电容，不会导致MOSFET漏源极过压，也不会导致漏源极电流过流，那导致MOSFET炸管的原因大概率便是过温了。那电容是怎么导致MOSFET过温的呢？
Part 03。
GS并联电容怎么导致MOS过温炸管？
MOSFET作业就会发生损耗，MOSFET的功耗有两大部分，导通损耗，开关损耗，导通损耗是指MOSFET在“导通”状况，即栅极电压大于MOSFET渠道电压，此刻MOSFET彻底导通下发生的损耗。导通时，漏极和源极之间存在一个小电阻，称为导通电阻RDS(on)，当电流流过期发生的功耗。
导通损耗Pcon主要与MOSFET的导通电阻有关：
经过上面的公式值勤得出以下定论：
导通电阻越大（导通电阻随温度升高而添加），导通损耗越高。
负载电流越大，导通损耗越高。
在MOSFET栅-源极之间并联一个电容不会影响负载电流和导通电阻。
开关损耗是MOSFET在敞开和关断进程中发生的损耗。在每次开关时，MOSFET从导通到截止或从截止到导通的进程中，漏极电流和漏极-源极电压并非瞬间到达方针状况，而是有一个突变进程。在这个进程中，电压和电流一起存在，导致功耗。
看下图就能理解了，因为MOS存在寄生电容，导致MOSFET存在米勒效应，在t1时刻段内，Vds不变，Id添加，对应的功耗为蓝色区域，在t2时刻段内，Vds减小，Id根本不变（实际会缓慢添加），对应的功耗为蓝色区域。
开关损耗Psw的近似公式为：
Vds是漏-源电压。
Id是漏极电流。
ton和toff分别是MOSFET的注册时刻和关断时刻(ton=t1+t2)。
f是开关频率。
在MOSFET栅-源极之间并联一个电容，因为电容充电需求时刻，进而会添加MOSFET的注册时刻和关断时刻，然后增大注册和关断损耗，MOSFET的温升=损耗*热阻，假如电容容值过大就会导致MOSFET炸管。
怎么核算并联电容导致MOSFET注册时刻和关断时刻的改变呢？实在值勤根据电容充电的核算模型，把驱动MOSFET敞开，看作是对MOSFET栅源极电容Cgs，栅漏极电容Cgd充电，核算将电容充满电所需的时刻即可，详细的推导后续重开文章剖析，本文侧重剖析栅-源极之间并联一个电容和MOSFET炸管内涵机理。