2024年11月18-21日，第十届世界第三代半导体论坛&第二十一届我国世界半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在姑苏隆重举行。由院士领衔，来自工业链各环节的超千人代表到会了开幕大会。开幕式上，举行了一系列活动，2024年度我国第三代半导体技能十大开展正式揭晓，备受重视。

第三代半导体工业技能立异战略联盟理事长、国家新资料工业开展专家咨询委员会委员吴玲发布2024年度我国第三代半导体技能十大开展。

2024年，我国第三代半导体技能与工业开展一日千里。在快速改变的浪潮中，为了更好的掌握职业前沿、凸显具有影响力和打破性的开展，为职业开展供给明晰视角，鼓励更多立异，大会程序委员会建议，发动2024年度我国第三代半导体技能十大开展评选活动，截止11月10日经过自荐、引荐和揭露信息收拾等途径，共收到备选技能39项，经程序委员会投票、归纳评议终究确认10项技能开展。

第三代半导体技能与工业正飞速开展，也为业界带来了黄金机会。技能打破将带来功能杰出的产品，工业开展将催生很多协作，助力开辟出更多的新式商场。 。

附：2024年度我国第三代半导体技能十大开展（排名不分先后）。

（一）6-8英寸蓝宝石基氮化镓中高压电力电子器材技能完成重大打破。

西安电子科技大学广州第三代半导体立异中心团队成功霸占了6-8英寸蓝宝石基GaN电力电子器材的外延、规划、制作和可靠性等系列难题，提出了新式低翘曲超薄外延异质结构和Al2O3/SiO2复合介质钝化办法，完成1200V和1700V高功能GaNHEMT中试产品开发，经过HTRB、HTGB等可靠性点评，效果使用于致能科技等公司系列产品中，明显推进蓝宝石基GaN成为中高压电力电子器材计划的有利竞争者。

（二）笔直注入铝镓氮基深紫外发光器材的晶圆级制备。

针对深紫外LED电光转化功率低下的难题，北京大学团队提出了一种根据GaN/蓝宝石模板的深紫外LED制备新技能道路，经过高Al组分AlGaN层预置裂纹，完成器材结构层与GaN层的应力解耦，得到外表无裂纹的深紫外LED晶圆，一起预置裂纹可有用缓冲剥离过程中的部分应力。该技能道路充分利用了Ga金属滴在激光剥离过程中为液态的长处，选用惯例的355nm短波长激光器完成了深紫外LED外延结构2-4英寸晶圆级无损害剥离，并成功制备出笔直注入器材，200mA注入电流下，发光波长280nm的深紫外LED光输出功率达65.2mW。相关效果宣布于《NatureCommunications》上。

（三）根据铟镓氮红光Micro-LED芯片的全彩显现技能。

南京大学、厦门大学、合肥工业大学和沙特阿卜杜拉国王科技大学联合攻关氮化镓基高铟组分红光资料及其Micro-LED器材技能，选用分子束外延制备出高电注入功率的地道结红光Micro-LED器材。相关效果宣布在《AppliedPhysics Letters》上，并选为Editor’sPick。进一步与天马微电子公司协作，研制出世界上第一块根据铟镓氮基红绿蓝Micro-LED芯片的1.63寸、像素密度达403PPI的TFT驱动全彩显现屏，完成了Micro-LED全彩显现计划的新技能验证。

（四）高功率密度、高能效比深紫外Micro-LED显现芯片。

香港科技大学、南边科技大学、国家第三代半导体技能立异中心（姑苏）、思坦科技等单位经过长时间联合攻关，根据高功率密度、高像素密度、低功耗的深紫外Micro-LED显现芯片完成了深紫外Micro-LED无掩膜光刻技能，建立了无掩膜光刻原型机渠道并制备首个深紫外Micro-LED无掩膜曝光的Micro-LED器材，将紫外光源和掩膜板图画融为一体，在短时间内为光刻胶曝光供给满足的辐照剂量，为工业开展创始了一条新途径，相关效果宣布在《NaturePhotonics》。

（五）氮化镓缺点引起的局域振荡的原子标准可视化。

针对氮化物半导体中与缺点相关的局域振荡模难以剖析表征的问题，北京大学团队与美国橡树岭国家实验室协作，运用扫描透射电子显微镜-电子能量丢失谱技能，结合高角环形暗场成像及EELS谱与第一性原理核算，准确识别了氮化镓中层错缺点的原子结构，并观测到相关的三种声子振荡形式：局域缺点形式、受限体形式和彻底扩展形式。相关研讨完成了氮化物半导体中缺点相关的声子形式分辩，并为氮化物半导体器材的热办理技能开展供给了新的思路。相关效果宣布在《NatureCommunications》上。

（六）千伏级氧化镓笔直槽栅晶体管。

我国科学技能大学团队针对氧化镓缺少有用p型掺杂导致难以完成增强型笔直结构晶体管的难题，经过优化后退火工艺完成氮替位激活和晶格损害修正，研制出千伏级氧化镓笔直槽栅晶体管，为完成面向使用的高功能氧化镓晶体管供给了新思路。该效果宣布于第36届世界功率半导体器材和集成电路会议，并获得了大会仅有最佳海报奖。

（七）2英寸单晶金刚石异质外延自支撑衬底完成国产化。

西安交大研讨团队选用微波等离子体化学气相堆积技能，成功完成2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底的国产化。经过对成膜均匀性、温场及流场的有用调控，进步了异质外延单晶金刚石成品率。衬底外表具有台阶流成长形式，可下降衬底的缺点密度，进步晶体质量。XRD（004）、（311）摇晃曲线半峰宽别离小于91弧秒和111弧秒，为金刚石的半导体使用奠定了根底。

（八）8英寸碳化硅资料和晶圆制作完成工业化打破。

本钱与有用产能是阻止碳化硅进入大规模使用的要害性问题，从6英寸向8英寸转型晋级已成为工业开展的大势所趋。国内多家资料企业完成8英寸工业化技能打破，构成供货才能。国内8英寸碳化硅晶圆制作线工艺技能经过产品流片验证，正式敞开碳化硅8英寸进程。

（九）国产车规级碳化硅MOSFET器材完成新能源轿车电驱使用。

完成车规级碳化硅资料、器材规划、工艺加工和模块封装全链条技能打破，要害目标对标国外量产产品典型技能水平。选用国产碳化硅MOSFET的电驱体系经过轿车企业验证，使用数量超千台。

（十）氮化镓基蓝光激光器要害技能获得工业化打破。

氮化镓基蓝光激光器要害技能获得工业化打破：氮化镓单晶衬底构成以中科院姑苏纳米所、南京大学、姑苏纳维、东莞中镓、上海镓特等为代表的产学研方阵，产品到达世界先进水平，国产化率到达50%以上；姑苏镓锐、飓芯科技、三安光电等均推出蓝光激光器产品，室温接连作业3安培电流下光功率5瓦，WPE功率超越41%，60度条件下加快老化外推寿数大于2万小时。

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