三星电子宣告其首款 1Tb QLC 第九代 V
IT之家 9 月 12 日音讯，三星电子今天宣告，三星首款 1 太比特四层单元（QLC）第九代 V-NAND 已正式开端量产，而 1Tb TLC 产品已于本年 4 月开端量产。
据介绍，三星 QLC 第九代 V-NAND 完成了多项技能打破，IT之家汇总如下：
通道孔蚀刻技能（Channel Hole Etching），可以根据双仓库架构完成当时业界最高的单元层数。三星运用在 TCL 第九代 V-NAND 中堆集的技能经历，优化了存储单元面积及外围电路，位密度比上一代 QLC V-NAND 提高约 86%。
预设模具（Designed Mold）技能，可以调整操控存储单元的字线（WL）距离，保证同一单元层内和单元层之间的存储单元的特性保持一致（V-NAND 层数越多，存储单元特性越重要）；选用预设模具技能使得数据保存功能比较之前的版别提高约 20%，增强可靠性。
猜测程序（Predictive Program）技能，可以猜测并操控存储单元的状况改变，尽可能削减不必要的操作，让三星 QLC 第九代 V-NAND 的写入功能翻倍，I/O 速度提高 60%。
低功耗规划（Low-Power Design）技能，使数据读取功耗约分别下降了约 30% 和 50%。该技能降低了驱动 NAND 存储单元所需的电压，可以仅感测必要的位线（BL），然后尽可能削减功耗。
此外，三星还表明将扩展 QLC 第九代 V-NAND 的使用规模，从品牌消费类产品开端，扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器 SSD，为包含云服务供给商在内的客户供给服务。