PMOS与NMOS的作业原理

男性 2025-05-30 18:47:57 254

文章来历：Tom聊。芯片。智造。

原文作者：芯片智造。

本文介绍了PMOS和NMOS的。作业原理。。

什么是PMOS与NMOS？

此处以增强型PMOS，NMOS为例，一般说的MOS管说的都是增强型MOS管。

上图为PMOS的示意图，衬底为N型。半导体。，源极 (Source) 和漏极 (Drain)掺杂了P型杂质 (如硼B)，构成P+区。N型硅多。电子。。

上图为NMOS的示意图，衬底为P型硅，衬底源极 (Source) 和漏极 (Drain)掺杂了N型杂质 (如磷P)，构成 N+区。P型硅多空穴。

NMOS的作业原理。

如上图，当栅极没有施加电压时，源极和漏极之间没有。电流。经过，MOSFET。处于关断状况。当栅极施加一个正电压时，该电场会将P型衬底中接近栅氧的空穴排挤开，一起招引电子到栅氧下方的区域，构成N型导电沟道。

在漏极 (Drain) 上施加正电压，在源极和漏极之间构成电压差。电子从源极经过沟道流向漏极，构成漏极电流，电路导通。经过调理栅电压，能够操控导电通道的宽度，然后调理源极和漏极之间的电流活动。

PMOS的作业原理。

PMOS。晶体管。中，当栅极施加负电压时，N型衬底中的电子被排挤，空穴 (Holes)被招引到栅极下方。构成一个P型导电沟道，衔接源极和漏极，完成空穴活动。当在源极和漏极之间施加电压时，电流能够活动。

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