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仅次于光刻!我国打破氢离子注入核心技术 100%国产

时间:2025-05-23 00:01:01 来源:锐评时讯 作者:咨询 阅读:640次

快科技9月11日音讯,据国家电力出资集团官方音讯,近来,集团所属国电投核力创芯(无锡)科技有限公司核力创芯暨国家原子能组织核技术(功率芯片质子辐照)研制中心,完成了第一批氢离子注入功能优化芯片产品客户交给。

这标志着,我国已全面把握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺,补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环,为半导体离子注入设备和工艺的全面国产代替奠定了根底。


工程师进行晶圆离子注入出产。

氢离子注入是半导体晶圆制作中仅次于光刻的重要环节。,在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制作过程中起着关键作用。

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(责任编辑:人文)

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