1200V级SiC。 MOSFET。是一种能充分发挥SiC优势的器材，广泛使用于。工业。、轿车等范畴。现在，1200V级SiC MOSFET被多家器材。厂商。定位为主力。产品。，本文首要介绍三菱。电机。1200V级SiC MOSFET的技能开发概要。

到2024年，三菱电机已量产第二代平面栅SiC MOSFET。芯片。，并配套于各种模块完成产品化。图1显现了第二代平面栅SiC MOSFET的MOS元胞截面结构及其特色。首要，运用n型离子注入技能（JFET掺杂）来优化MOS元胞JFET区的结构，安息了JFET区域的。电阻。。此外，与以往比较，缩小了MOS元胞的尺度，经过进步MOS沟道密度来安息电阻，并经过使SiC衬底更薄来安息电阻。经过这些改善，如图2所示，三菱电机的第二代SiC MOSFET与第一代比较，导通电阻安息了30%以上。此外，用于坚持第二代SiC MOSFET耐压的终端结构选用了FLR（Field Limi。ti。ng Ring），构成恰当的外表保护膜。

图1：第二代平面栅SiC MOSFET的MOS元胞截面结构。

图2：第二代SiC MOSFET与第一代SiC MOSFET的通态特性比较。

迄今为止，三菱电机的第二代SiC MOSFET已被广泛使用于商场上多个体系中，充分证明其故障率低、功能安稳。现在，以第二代SiC MOSFET结构为根底，进一步进行改进，持续开发便于运用的SiC MOSFET，推进高功能、高可靠性SiC模块的产品化。

作为耐压1200V级SiC MOSFET的下一代产品，三菱电机正在推进第四代沟槽栅SiC MOSFET的开发。别的，三菱电机第三代SiC MOSFET选用SBD。嵌入式。MOSFET，将在下一章节进行介绍。图3显现了正在开发的沟槽栅SiC MOSFET结构，选用离子注入技能，构成共同的MOS元胞结构。其特色是，在高电场简单会集的沟槽底部，进行p型离子注入（BPW：bottom p-well）来安息电场强度，对沟槽侧壁进行p型和n型离子注入，使BPW的电位坚持安稳，保证开关时安稳作业，并安息了。电流。途径的电阻。因而，三菱电机的沟槽栅SiC MOSFET可完成高可靠性、安稳作业和低导通电阻。图4比较了三菱电机的沟槽栅SiC MOSFET和平面栅SiC MOSFET的导通电阻，可见沟槽栅MOSFET的导通电阻大幅安息。室温下比导通电阻为2mΩ·cm2左右，到达世界先进水平。从图4也可看出，高阈值电压时，沟槽栅SiC MOSFET导通电阻相对平面栅安息的份额更大。这是沟槽栅SiC MOSFET的长处，由于MOS沟道构成在与（0001）面笔直的面上，MOS通道的有用迁移率比较大。三菱电机的沟槽栅MOSFET结构上的特色是离子注入浓度和区域等规划自由度高，因而能够调整各种特性。

图3：第四代沟槽栅SiC MOSFET的MOS元胞的立体截面图。

图4(a)：三菱电机沟槽栅SiC MOSFET与平面栅SiC MOSFET的导通电阻比较（室温）。

图4(b)：三菱电机沟槽栅SiC MOSFET与平面栅SiC MOSFET的导通电阻比较（高温）。

三菱电机的第四代沟槽栅SiC MOSFET十分合适要求高阈值电压和低导通电阻的xEV，正方案开发用于xEV的SiC模块作为其第一批使用产品。未来，咱们将推进沟槽栅SiC MOSFET使用于各种其他用处。

正文完。

<关于三菱电机>

三菱电机创立于1921年，是全球。闻名。的综合性企业。截止2024年3月31日的财年，集团营收52579亿日元（约合美元348亿）。作为一家技能主导型企业，三菱电机具有多项专利技能，并凭仗强壮的技能实力和杰出的企业诺言在全球的电力设备、。通讯。设备、。工业自动化。、。电子元器材。、家电等商场占有重要位置。尤其在。电子。元器材。商场，三菱电机从事开发和出产。半导体。已有68年。其半导体产品更是在变频家电、轨迹牵引、工业与。新能源。、电动轿车、。模仿。/数字通讯以及有线/无线通讯等范畴得到了广泛的使用。

内容来源：https://sh.tanphatexpress.com.vn/app-1/nhà cái đá gà sv388,http://chatbotjud-teste.saude.mg.gov.br/app-1/fruit-saque

(责任编辑：人文)