快科技4月24日音讯，除了开展N2、A16、A14等选用GAAFET全盘绕晶体管的全新工艺，台积电还在持续发掘传统FinFET立体晶体管的极限，最终一代用它的N3系列工艺节点仍在不断演进。

在美国举行的北美技术论坛2025上，台积电最新宣告，3nm级工艺的第三代N3P已经在2024年第四季度投入量产，第四代N3X则会在本年下半年投产。

N3P便是第二代N3E的升级版，面向需求高功能的客户端、数据中心使用，一起坚持IP与规划兼容。

依照官方数据，N3P平等功耗下的功能可再提高约5％，而平等功能下的功耗可再下降5-10％，别的晶体管密度提高4％。，尤其是SRAM缩放的提高较为显着。

苹果M3、高通骁龙8至尊版、联发科天玑9400/9400+等都用的N3E工艺，不知道本年的升级换代会不会都上N3P？仍是直奔N2？

N3X则是N3P的再次升级版，可持续将平等功耗功能提高5％，平等功能功耗下降7％。

更要害的是，N3X支撑最高达1.2V的电压，从而将频率、功能发掘到极致，但价值便是漏电率突然增大最多250％，因而芯片规划要十分稳重。

依据路线图，台积电N3下一年还会有N3A、N3C两个版别。，但未做详细介绍，从定位看N3C是超低本钱，定位很低。

PS：台积电N3其实还有个特别版别N3B，但功能和本钱都不算太好，大客户中只要Intel一家在用，便是Lunar Lake、Arrow Lake，妥妥的大冤种。

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