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文章来历：山君说芯。
原文作者：山君说芯。
本文简略介绍了多芯片封装的概念、技能、工艺以及未来发展趋势。
多。芯片。封装技能（Multi-Chip Packaging, MCP）是现代。集成电路。（。IC。）范畴的一项要害技能，用于在一个封装中集成多个芯片或功用单元。这项技能经过空间的优化和功用的协同，大幅进步了器材的功用、带宽及动力功率，是未来高功用核算、。人工智能。、。通讯。等范畴的中心根底。
1. 多芯片封装的基本概念。
1.1 界说与中心思维。
多芯片封装是一种将多个芯片（逻辑芯片、存储芯片、。射频。芯片等）集成到一个封装体中的技能。它包含2.5D封装（经过硅中介层衔接）和3D封装（笔直堆叠芯片），完成更高的集成度和功用。
比方：能够将多芯片封装理解为建立“微型城市”：每个芯片是一个功用区域，经过“路途”（互连结构）衔接，完成高效协作。
1.2 优势。
进步功用：缩短芯片间。信号。传输途径，下降推迟和功耗。
节约空间：更小的封装体积适用于移动设备和高密度服务器。
模块化规划：便于不同功用芯片的灵敏组合，下降规划复杂性。
2. 要害技能要害。
2.1 先进基板。
先进基板是多。芯片封装。的物理载体，其功用直接决议信号传输的速度和功耗。当时技能要求先进基板的线宽/线距在1/1μm乃至更小，以满意高带宽和低功耗的需求。
当时缺口：美国工业链在先进基板制作方面落后于亚洲，特别是在精密距离从头布线层（RDL）技能上。
未来方针：HIR计划到2030年完成0.5/0.5μm线宽/线距。
2.2 互连技能。
芯片间互连是多芯片封装的中心应战。包含以下两种干流技能：
硅中介层（Interposer）：供给高密度互连，支撑更大的带宽，但制作本钱高。
有机基板：本钱较低，但信号完整性和散热功用略差。
2.3 热办理。
封装功率密度的添加对热办理提出了更高要求。
应战：200-400W的热规划功耗（TDP）需求有用散热计划。
处理计划：引进先进的封装内热导资料、集成热界面资料（。TI。M）和液冷等技能。
2.4。 电源。传输。
高带宽需求使电源传输成为一大瓶颈。
问题：传统分立电源组件已无法满意封装内高功率密度要求。
处理方法：根据封装内电压调节器（I。VR。）的技能，使用电感和开关电容完成高效电源传输。
3. 工艺应战。
3.1 制作工艺。
多芯片封装的完成依靠。高精度。制作工艺，首要包含：
精密距离RDL制作：当时出资首要会集在亚洲，需求打破以完成更高的线宽/线距。
面板级封装（PLP）：针对大尺度封装供给更高性价比的处理计划。
3.2 资料晋级。
多芯片封装需求新型资料的支撑：
中介层代替资料：如高密度陶瓷基板，具有更高热导率和。机械。强度。
封装资料：需求支撑更高的热导率和更低的。电阻。。
3.3 牢靠性。
堆叠芯片和细距离互连带来的机械应力、热膨胀失配需求处理封装长时间牢靠性问题。
4. 未来发展趋势。
4.1 小芯片（Chiplet）和异构集成。
小。芯片技能。将不同工艺节点、功用模块芯片进行集成。比较传统的单片规划，小芯片供给了更高的灵敏性和功用。
HBM3使用：如高带宽存储（HBM3）需求每通道4-6Gbps的数据速率，封装中的I/O数量快速增长，每个硅节点的HBM数量将添加1.4倍。
4.2 2.5D与3D封装的扩展。
2.5D封装：扩展EMIB技能，进步带宽密度并下降本钱。
3D封装：经过笔直堆叠完成更高的功用密度，但对热办理和制作精度提出更高要求。
4.3 高密度基板技能。
未来方针是将有机基板和面板级基板的功用进步到1/1μm以下，然后完成更低的电阻和更高的传输速度。
4.4 电源集成。
封装内电源集成技能将进一步优化，经过部分电压调节器和高效电源传输组件，支撑高功率使用。
5. 总结与展望。
多芯片封装技能已经成为集成电路工业的要害方向，其优势在于进步功用、节约空间和支撑多样化使用。但是，该技能仍面对基板制作、热办理、电源传输等多方面的应战，需求从资料、工艺、规划等多个维度进行继续立异。