HBM3E 内存比赛升温：三星 4 月反击，美光已抢先一步
时间：2025-05-29 00:05:03 来源：锐评时讯
IT之家 4 月 10 日音讯，韩媒 Sedaily 于 4 月 8 日发布博文，报导称在美国新关税方针的不确定性下，存储巨子们并未放缓脚步，反而加快比赛 HBM3E 商场。
IT之家征引博文报导，三星调整了 HBM3E 产品设计，方案本年 4 月向英伟达大规模供给 8H 版别。另一家韩国媒体 EBN 泄漏，若发展顺畅，三星 12 层 HBM3E 有望 5 月取得英伟达认证。
SK 海力士长时刻称雄 HBM 商场，但美光正迎头赶上。另一家韩媒 Sisa Journal 指出，美光 3 月已经过 12 层 HBM3E 验证，并开端交给，支撑英伟达最新 B300 产品。
该媒体剖析以为美光的 DRAM 总产能尽管不及 SK 海力士，但其 10nm-class 1b 先进工艺占比更高。这让美光在产品质量上占优，尤其在 HBM 要害的散热办理方面体现杰出。
此外存储巨子也在加快推动 HBM4 比赛。三星方案 2025 年完成 HBM4 量产，但其 10nm 1c DRAM 工艺没有老练，方针充溢应战。
Business Korea 早前说到，美光估计 2026 年推出 HBM4，而 2025 下半年出产的 HBM 多为 12 层产品。两大巨子在技能晋级上各有布局，未来竞赛将更剧烈。
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