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快科技1月5日音讯，据韩国朝鲜日报报道，三星DS部分存储业务部最近完结了HBM4内存的逻辑芯片规划。Foundry业务部方面也现已依据该规划，选用4nm试产。 待完结逻辑芯片终究功能验证后，三星将供给HBM4样品验证。
逻辑芯片即Logic die（又叫Base die），对HBM堆叠发挥大脑效果，担任操控上方多层DRAM芯片。
报道引证韩国商场人士说法，运行时发热是HBM的最大敌人，而在仓库全体中逻辑芯片更是发热大户，采先进制程有助改进HBM4能效与功能体现。
除自家4nm制作逻辑芯片外，HBM4还导入10nm制程出产DRAM。
HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，首要使用于高功能核算（HPC）、人工智能（AI）和图形处理（GPU）等范畴。
HBM的长处在于打破了内存带宽及功耗瓶颈。其中心优势在于选用了3D堆叠技能，将多个DRAM芯片笔直堆叠在一起，经过硅通孔（TSV）技能完成芯片间的高速信号传输，大大缩短了数据传输的间隔和推迟，然后可以以极高的带宽为处理器供给数据支撑。
HBM特性特别合适调配GPU进行密布数据的处理运算。英伟达新一代AI芯片，均搭载HBM内存。
HBM产品面世至今，HBM技能现已开展至第六代，分别为HBM、HBM2、HBM2e、HBM3，HBM3e（HBM3的扩展版别）以及HBM4。
HBM1作为最早的版别，带来了128GB/s的带宽，敞开了高带宽内存的使用。随后，HBM2、HBM3等相继面世，每一代都在带宽、容量和能效等要害指标上完成了明显打破。
从业界数据来看，HBM4规范支撑2048位接口和6.4GT/s的数据传输速率。比较HBM3E，HBM4的单个仓库带宽已达到1.6TB/s，极大地提升了内存体系的数据吞吐能力，可以更高效地满意人工智能、深度学习、大数据处理和高功能核算等范畴对内存功能日益严苛的需求。
HBM供货商在各代产品中往往会推出不同仓库层数的产品，如HBM3e的8hi（8层）及12hi（12层），而HBM4代代则规划了12hi及16hi。
上一年11月，三星电子存储部分履行副总裁Jaejune Kim在第三季度财报发布后举行的电话会议上表明，本年三季度HBM总出售额环比增加超越70%，HBM3E 8层和12层堆叠产品均已量产并开端出售，HBM3E的出售占比已上升至HBM总出售额的10%左右，估计第四季度HBM3E将占HBM出售额的50%左右。
三星的HBM4开发作业正在按计划进行，方针是在2025年下半年开端量产。