三星被曝将初次外包芯片“光掩模”出产，聚集 ArF 和 EUV 等先进技术

5 月 14 日音讯，光掩模（版）系出产集成电路所需之模具，是用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构，其原理类似于冲刷相片时使用底片将印象复制到相片上。

韩国科技媒体 TheElec 今天报导称，三星电子正方案将内存芯片制作所需的光掩模出产事务进行外包。

据称，现在三星已发动供货商评价流程，候选企业包括日本 Toppan 控股子公司 Tekscend Photomask 和美国 Photronics 旗下 PKL（注：厂址坐落京畿道），评价成果估计第三季度发布。

TheElec 报导称，三星预备将低端产品（i-line 365 纳米、KrF 248 纳米）进行外包，内部仅保存高端光掩模（ArF 193 纳米、EUV 13.5 纳米），原 i-line / KrF 资源转向 ArF / EUV 研制。

报导称，三星决定将光掩模出产外包的原因有许多，主要是三星自家 i-line 和 Krf 设备现已老化，且不再出产，因而很难找到代替设备；并且低端光掩模技能外泄危险较低，三星更乐意集中力量冲击高端制程建造。

跟着半导体技能越来越先进，电路图画越来越精密，出产流程中使用光掩模的数量也越来越多。例如 10nm 逻辑芯片需 67 张，而 1.75nm 估计需求 78 张；传统 DRAM 芯片需求 30-40 张，而现在最先进的 DRAM 芯片需求 60 多张。何况，多重曝光技能也进一步增加了光掩模所需数量。

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