电池采样电路反常原因剖析和解决方案
作者:咨询 来源:咨询 浏览: 【大 中 小】 发布时间:2025-05-26 03:55:03 评论数:
以下文章来源于24c01硬件。电子。，作者24c01。
俗语说的好“电路和我有一个能跑就行，电路不跑我就跑”。今日这期带来的是群友的一个硬件bug。不过多论述，一同看看：
问题描绘：
产品。电池采样电路样机概率有40uA额定的漏电流，五台样机有一台呈现这种反常现象。问题定位到PMOS上，替换PMOS有用。电路原理。图如下：
原理图剖析：
当。ADC。_EN为高电平时，NMOS管Q20导通，PMOS管Q19导通，AD。C1收集得到VIN的电压(ADC1≈VCC*4.7K/104.7K)。当ADC_EN为低电平时，NMOS和PMOS均为关断状况，此刻在R66和R67上不会有漏电流(低功耗必备电路)。
从原理图剖析是没什么问题，可是实践反常便是在Q19截止的时分，依然会有40uA的漏电流。
原因剖析：
后通过细心与群友核对VIN电压后，发现VIN对应的电池电压，电池是12V的电池，即电池充满电后的电压会更高(大于12V)。
而这个原理图是从4.2V的。锂电池。收集电路里复制过来的。
当NMOS导通后，PMOS两头的VGS电压简直等同为VIN(大于12V)，而选用的PMOS为AO3401，其VGS耐压肯定最大值也便是±12V。加上之前描绘替换PMOS后问题会得到解决，所以怀疑是PMOS的VGS过压导致PMOS内伤，或许就产生了额定的漏电流。
解决方案：
电阻。分压后操控PMOS，更改后电路图大致如下：
替换VGS耐压更高的PMOS，例如AO3407。
总结：
要额定留意MOS管的VGS耐压和VDS耐压，不要为所欲为。
本文转载自24c01硬件电子大众号。