内存的速度+闪存的持久性：DRAM+内存行将问世

咨询 2025-05-30 07:37:14 5

快科技4月9日音讯，据媒体报道，近来，Ferroelectric Memory Co.（FMC）与Neumonda宣告树立协作伙伴关系，致力于将一种名为“DRAM+”的新式内存架构推向市场。

这种内存技能将DRAM的高速功能与非易失性数据保存才能相结合，处理了高速DRAM与NAND闪存等存储之间的功能距离。

DRAM+技能的中心在于用铁电氧化铪（HfO2）元件代替传统DRAM中的电容器，HfO2元件可以在无需电源的情况下耐久存储数据，还能坚持纳秒级的拜访速度。

与曩昔运用的锆钛酸铅（PZT）比较，HfO2具有更高的可扩展性，可以与现有的半导体制作工艺兼容，支撑10纳米以下的制作工艺，并完成千兆位等级的存储密度。

FMC的DRAM+技能首要针对需求耐久性、低功耗和高功能的特定使用，如AI加速器、轿车电子操控单元（ECU）以及医疗植入物等。

经过消除传统的刷新周期，DRAM+可以明显下降静态功耗，比较传统单晶体管/单电容器DRAM单元更具优势。

Neumonda将为FMC供给其先进的测验渠道套件Rhinoe、Octopus Raptor，用于电气特性和剖析，不过两边没有发布商用DRAM+产品的详细出产时间表。

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