快科技12月8日音讯，今日Intel发文介绍了在IEDM 2024（2024年IEEE世界电子器材会议）上展现的多项技能打破。

在新材料方面，减成法钌互连技能（subtractive Ruthenium）最高可将线间电容下降25%，有助于改进芯片内互连。

Intel代工还首先展现了一种用于先进封装的异构集成解决计划，能够将吞吐量进步高达100倍，完成超快速的芯片间封装（chip-to-chip assembly）。

此外，Intel代工还展现了硅基RibbionFET CMOS （互补金属氧化物半导体）技能，以及用于微缩的2D场效应晶体管（2D FETs）的栅氧化层（gate oxide）模块，以进步设备功能。 

在300毫米GaN（氮化镓）技能方面，Intel代工也在持续推动研讨，制作了业界抢先的高功能微缩增强型GaN MOSHEMT（金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管）。

能够经过削减信号丢失，进步信号线性度和根据衬底背部处理的先进集成计划，为功率器材和射频器材等使用带来更强的功能。

Intel代工还以为，以下三个要害的立异着力点将有助于AI在未来十年朝着能效更高的方向开展：

先进内存集成（memory integration），以消除容量、带宽和推迟的瓶颈；

用于优化互连带宽的混合键合；

模块化体系（modular system）及相应的衔接解决计划。

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