三星即将在世界固态电路会议（ISSCC）上展现其最新的第10代超越400层3D NAND Flash，接口速度可达5.6 GT/s。这款V-NAND保持着TLC（三级单元，或每个单元3位）架构，每个芯片的容量为1Tb（128GB）。三星宣称，这一代超400层3D TLC NAND Flash的存储密度到达了28 Gb/mm²，略低于其1Tb 3D QLC V-NAND的28.5 Gb/mm²，后者是现在世界上存储密度最高的NAND Flash。

三星第10代V-NAND的接口速度到达5.6 GT/s，显着快于长江存储的3.6 GT/s。在5.6 GT/s的速度下，相当于约700 MB/s的数据传输速率，意味着其间10个设备可以使PCIe4.0 x4接口饱满，而20个足以使超快的PCIe5.0x4接口饱满。

据媒体报道，三星计划在ISSCC 10上推出第10代V-NAND。因而，在下一年开端批量生产这种NAND Flash是很有或许的工作。仅仅尚不清楚新何时会进入三星自己的SSD。

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