半导体配备要害耗材国产化获技能打破
本报讯（记者甘晓）天津大学先进资料与高性能制作团队在氮化铝、氮化硅陶瓷半导体设备耗材高精度加工根底与应用研讨方面获得新打破。其自主研制的主轴微纳调控超精细制作体系，为硬脆资料高精度低损害加工供给了重要的技能支撑。相关研讨成果近来在线发表于《极点制作》。
以氮化硅、氮化铝陶瓷为代表的硬脆资料高明精细部件，广泛应用于半导体职业中晶圆的氧化、刻蚀、离子注入等各种工艺制程中，是制作门槛极高的一类重要器材，成为约束我国半导体工业展开的要害技能之一。其杂乱结构陶瓷构件超精细制作触及的很多科学问题和要害制作技能问题亟待解决。
此外，因为资料特性，硬脆资料在精细加工进程中极易呈现外表/亚外表损害，从而影响精细部件使役性能及寿数。
为此，研讨团队体系展开了硬脆资料去除机理、近无损加工工艺以及专用超声加工配备等多方面的根底与应用研讨，体系提醒了多类型陶瓷资料损害生成机制。他们打破硬脆资料加工进程力热调控以及大尺度面型收敛工艺难题，提出硬脆资料大深径比制孔、旋量可控磨抛等要害技能，完成大尺度杂乱结构氮化硅、氮化铝陶瓷半导体配备耗材的高效率、高精度加工。这为半导体设备要害耗材自主可控供给了重要技能支撑。
相关论文信息：
https://doi.org/10.1088/2631-7990/ad7076。
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