史上最快存储速度！复旦大学研制出超高速闪存：未来电脑将不存在内外存概念
快科技4月17日音讯，日前，复旦大学宣告，时隔2周，继二维半导体芯片之后，复旦集成电路范畴再获要害打破。
据介绍，复旦大学周鹏、刘春森团队经过构建准二维泊松模型，在理论上猜测了超注入现象，打破了现有存储速度的理论极限，研发“拂晓（PoX）”皮秒闪存器材。
其擦写速度可提升至亚1纳秒（400皮秒），适当于每秒可执行25亿次操作，功能逾越同技能节点下国际最快的易失性存储SRAM技能。
相关效果以《亚纳秒超注入闪存》为题在《天然》期刊上宣布。
据了解，这是迄今为止国际上最快的半导体电荷存储技能，完结了存储、计算速度适当，在完结规模化集成后有望完全推翻现有的存储器架构。
在该技能基础上，未来的个人电脑将不存在内存和外存的概念，无需分层存储，还能完结AI大模型的本地布置。
团队将“拂晓”与CMOS结合，以此打造出的Kb级芯片现在已成功流片，下一步，计划在3-5年将其集成到几十兆的水平，到时可授权给企业进行产业化。
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