复旦大学研宣布史上最快闪存，每秒操作25亿次！
近来，复旦大学团队研宣布一种名为“拂晓（PoX）”的皮秒级闪存器材，其擦写速度到达亚纳秒等级，比现有技能快1万倍，数据保存年限据试验外推可达十年以上。相关研讨成果已登上世界尖端期刊《Nature》。
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该项目由复旦大学集成芯片与体系全国重点试验室、芯片与体系前沿技能研讨院的周鹏-刘春森团队完结。周鹏教授现任复旦大学微电子学院副院长，长时间致力于集成电路新资料与新器材的研讨。刘春森博士为青年研讨员，与周鹏教授一起担任论文通讯作者。
传统闪存器材中，硅资料的功能受限于电子有用质量和声子散射等要素，导致热载流子注入功率较低。复旦大学团队经过将硅替换为石墨烯和二硒化钨等二维资料，成功完成了亚纳秒级的擦写速度。
研讨发现，二维资料的共同能带结构和电学特性明显提升了热载流子注入功率。以石墨烯为例，其载流子有用质量接近于零，迁移率极高，散射概率大幅下降。当沟道厚度减小至2纳米左右时，漏端邻近的峰值电场强度是传统体硅器材的数倍，这使得载流子可以在极短间隔内被加快至高能量，然后大幅提高了注入功率。
器材结构与制备工艺。
团队根据石墨烯和二硒化钨别离制备了两种闪存器材，均选用“三明治结构”。从上到下顺次包括源漏电极、沟道层、存储堆叠结构、金属栅极和硅衬底。其间，石墨烯版别的存储堆叠结构还包括一个电荷存储层。
制备过程中，研讨人员经过机械剥离法取得原子级厚度的二维资料薄片，并选用干法搬运技能将其搬运到硅/二氧化硅衬底上。随后，经过电子束曝光和金属蒸镀工艺制备源极和漏极金属电极。为优化功能，团队还引入了六方氮化硼作为绝缘隔离层，并经过等离子体增强化学气相堆积法堆积氧化铝和二氧化铪薄膜，构成高效的“二元介质层”结构。
终究，石墨烯版别的闪存器材在通道长度为0.2微米时，完成了400皮秒的编程速度，打破了传统闪存1纳秒的速度瓶颈，每秒可操作25亿次。